一、简介

李贤斌，教授/博导，广东新会人，国家优青。长期从事相变信息存储器及光电器件中关键半导体物理问题的研究，特别针对相变存储器速度提升与功耗降低等关键问题，基于电子结构计算方法，在半导体的原子结构、电子态的设计与调控方面取得了多项创新成果。曾在Phys. Rev. Lett.、Nature Commun.、Adv. Mater.、Nano Today、Adv. Funct. Mater、Nano Lett.、Acta Mater.、IEEE等学术期刊发表第一/通讯作者论文53篇，被包括Science、Nature Rev. Mater.在内总引3200次、H因子33。曾获国际半导体物理大会、IEEE国际固态集成电路技术会议、华为未来之光论坛、美国材料学会相变存储论坛、中国物理学会秋季会议、中德电子存储材料双边学术论坛等重要学术会议邀请报告31次。主持国家自然科学基金优秀青年项目、面上项目、青年项目、973子课题等科研项目8项。曾获公司优秀青年教师计划、吉林省自然科学学术成果奖、吉林省青年科技奖等荣誉。李博士在相变存储领域的持续探索得到同行关注：参与设计的TiSbTe相变材料因超快存储速度被国际半导体工业同行点评为具有出众性能；与合作者共同提出的过渡金属元素牢靠钉扎中心模型为国产相变存储集成电路芯片研制提供材料设计方案；曾受邀在纪念相变存储技术发明人Stanford R. Ovshinsky先生的学术特刊中撰写关于电子激发诱导相变存储新机制的研究进展综述。

学术兼职:

1. 计算半导体物理实验室(www.ioe-jlu.cn/csp)，执行主任；

2. 中国电子学会高级会员、美国电气电子工程师学会会员、中国光学会会员；

3. 著名学术期刊Phys. Rev. Lett.、Science adv.、Nature Commun.、Adv. Mater.、J. Am. Soc. Chem.、Adv. Funct. Mater. 邀请评审人；教育部学位中心优秀毕业论文通讯评议专家。

二、研究方向（基于电子结构计算的第一性原理方法）

1. 高密度存储集成电路的半导体材料物理研究；

2. 面向类脑计算应用的核心半导体的材料基因工程计算设计；

3. 超快光存储过程的调控与设计；

4. 面向延伸摩尔定律的低维半导体的缺陷导电调控规律及方法开发。

三、获奖情况

2018年，吉林省自然科学学术成果奖，“评价二维材料中带电缺陷形成能与载流子离化能的理论新方法”，李贤斌（通讯作者）；

2021年，第十六届吉林省青年科技奖，李贤斌；

2021年，公司本科课堂教学质量奖，李贤斌。

四、 代表论文

1. Mexican-hat potential energy surface in two-dimensional III2-VI3 materials and the importance of entropy barrier in ultrafast reversible ferroelectric phase change, Appl. Phys. Rev. 8, 031413 (2021)

2. Modulation Doping: A Strategy for 2D Materials Electronics, Nano Lett. 21, 6298 (2021)

3. High-Throughput Screening for Phase-Change Memory Materials, Adv. Funct. Mater. 31, 2009803 (2021)

4. Phase-Change-Memory Process at the Limit: A Proposal for Utilizing Monolayer Sb2Te3,

Adv. Sci. 8, 2004185 (2021)

5. Phase-Change Superlattice Materials toward Low Power Consumption and High-Density Data Storage: Microscopic Picture, Working Principles, and Optimization. Adv. Funct. Mater., 28, 1803380 (2018)

6. Directional Forces by Momentumless Excitation and Order-to-Order Transition in Peierls-Distorted Solids: The Case of GeTe. Phys. Rev. Lett. 120, 185701 (2018)

7. Engineering two-dimensional electronics by semiconductor defects. Nano Today 16, 30 (2017)

8. Determination of formation and ionization energies of charged defects in two-dimensional materials, Phys. Rev. Lett.114, 196801 (2015)

9. Clarification of the Molecular Doping Mechanism in Organic Single-Crystalline Semiconductors and their Application in Color-Tunable Light-Emitting Devices. Adv. Mater. 1801078 (2018)

10. Strong electron-polarized atom chain in amorphous phase-change memory GeSbTe alloy. Acta Mater. 143, 102 (2018)

11. One order of magnitude faster phase change at reduced power in Ti-Sb-Te, Nature Commun. 5, 4086 (2014)

12. Role of electronic excitation in the amorphization of Ge-Sb-Te alloys, Phys. Rev. Lett. 107, 015501 (2011)

指导员工去向：在加州理工学院、耶鲁大学、加州大学、伦斯勒理工学院、美国劳伦斯伯克利国家实验室、哥伦比亚大学、根特大学等机构继续深造（从事博士后研究或攻读博士学位）；获公司、湖南大学、郑州大学、中国科学院、江南大学等机构教职（任副教授、副研究员、讲师等）；任台积电、荣耀终端、京东方、士兰微电子、沈阳仪表科研院、中国联通等公司的研发工程师、技术骨干等。

五、电子邮箱

lixianbin@jlu.edu.cn

适合专业：电子、物理、材料方向；本科成绩优良/硕士期间取得阶段成果、熟练使用外语进行科技写作和交流（CET6）、积极上进。欢迎有志于攀登科学高峰、投身国家半导体事业的青年才俊咨询联系。