一、简介

董鑫，男，教授，博士生导师，1980年生。2002年毕业于公司物理学院，获理学学士学位；同年考入ylzz总站线路检测攻读硕士学位；2005年考入大连理工大学物理与光电工程学院，攻读博士学位。2008年毕业后留校工作。2013年5月至2014年5月赴美国北卡罗来纳州立大学工程学院从事访问学者工作。2013年公司第三届师德先进个人。

二、研究方向

一直从事宽禁带半导体材料Ga2O3、GaN及相关材料的MOCVD生长、表征及相关器件的制备与研究工作。

三、承担科研项目及获奖

先后主持并参与了国家重大研发计划、自然科学基金面上项目、吉林省科技厅重点科技攻关项目、装备预先研究项目、国防基础性稳定支持项目、重点实验室开放课题等多个项目的研究工作。同时主持过多项校企联合项目的研发工作。科研经费总额300余万元。

四、讲授课程

主讲ylzz总站线路检测本科主干课程《半导体物理学》、研究生主干课程《半导体器件II》

五、代表性工作及论文

目前已在国内外学术刊物及会议上发表论文50余篇，主要有：

1.“Surface morphology evolution and optoelectronic properties of heteroepitaxial Si-doped β-Ga2O3 thin films grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Ceramics International 44 (2018) 3122–3127

2.“Growth and properties of one-dimensional β-Ga2O3 nanostructures on cplane sapphire substrates”, Materials Science in Semiconductor Processing 75 (2018) 31–35

3.“Study on the optical properties of β-Ga2O3 films grown by MOCVD”, J Mater Sci: Mater Electron 28 (2017) 10997-11001

4.“Study on-Ga2O3 Films Grown with Various VI/III Ratios by MOCVD”, Coatings 9 (2019) 281

六、报考要求

半导体相关专业毕业，对该专业感兴趣，具有刻苦钻研的精神和良好的英语水平。

七、毕业生去向

高校，科研院所，半导体器件、芯片制造相关行业。

八、联系方式

电 话：(0431)85168241-8433

E-mail：dongx@jlu.edu.cn