一、简 历

马艳，副教授，1988年入读公司电子科学系，1996年留校任教，一直从事半导体薄膜材料生长及器件的研制工作，2004年获公司微电子学与固体电子学专业博士学位。2006-2008年在大连理工大学物理与光电工程学院三束材料改性国家重点实验室做博士后研究工作。

二、研究方向

当前研究方向为宽带隙半导体材料及其器件研制。

三、承担科研项目及获奖

1.承担科研项目

曾参予完成国家863课题、自然科学基金重点项目、面上项目及吉林省科委项目等多个科研项目。2006年，获得第三十九批中国博士后科学基金资助。2009年，承担了国家自然科学基金面上项目：《ZnO纳米线电注入紫外激光器阵列的研究》。

2.科研获奖

参予完成的“半导体光电子新材料与新器件研究”获2004年吉林省科技进步二等奖。

四、讲授课程

1.本科生课程：《半导体材料》、《文献检索》、《半导体材料实验-X光定向》

2.研究生课程：《电子材料及其制备》

五、代表性工作及论文

1.Y. Ma, G.T. Du, S.R. Yang, et al. Control of conductivity type in undoped ZnO thin films grown by metalorganic vapor phase epitaxy.  J. Appl. Phys. 2004, 95(11): 6268.

2.Guotong Du, Yan Ma, Yuantao Zhang, et al. Preparation of intrinsic and N-doped p-type ZnO thin films by metalorganic vapor phase epitaxy.  Appl. Phys. Lett. 2005, 87: 213103.

3.Yan Ma, Guotong Du, Jingzhi Yin, et al. Structural and optoelectrical properties of ZnO thin films deposited on GaAs substrate by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD). Semicond. Sci. Technol.  2005，20：1198.

4.Y. Ma, Q. Gao, G.G. Wu, et al. Growth and conduction mechanism of As-doped p-type ZnO thin films deposited by MOCVD. Materials Research Bulletin 2013, 48 (3): 1239–1243.

六、报考要求

熟练掌握英文，勤奋，踏实，认真。

七、联系方式

E-mail：jlumayan@sina.cn