一、简历
吴国光，男，公司本科、硕士、博士毕业，2012年获得公司微电子学与固体电子学博士学位，现任公司副教授，博士生导师。
基于德国大型超高真空集成设备(分子束外延/X射线光电子能谱/紫外光电子能谱/扫描隧道显微镜/原子力显微镜)长期从事半导体材料表面界面特性、半导体光电子及电子器件的制备研究。2012年在国际上首次实现了InN基近红外发光器件的制备，得到国际同行的关注，受邀在国际氮化物会议做邀请报告。2019年开始筹建MPCVD实验室，从事电子级金刚石材料（第四代半导体）及器件的相关研究。作为项目负责人主持了国家自然科学基金面上基金、青年基金、吉林省科技发展计划、中国博士后面上项目等科研项目。
二、研究方向
1.MBE法制备氮化物光电子器件：基于德国MBE系统开展氮化物半导体材料（InN、AlN、GaN及其合金）的近红外发光器件及电子器件（HEMT）的制备及仿真等研究工作。
2.MPCVD法制备金刚石光电子器件：基于进口新型MPCVD系统开展电子级金刚石薄膜外延生长工艺、金刚石掺杂技术及材料物理特性的研究，实现高质量金刚石膜半导体器件的制备。
3.半导体低维材料物理特性研究：基于MBE/XPS/UPS/STM/AFM系统开展低维半导体材料表面界面特性及其异质结结构物理特性研究。
三、讲授课程
本科生课程：《数字电子技术基础》
《半导体材料实验》
《半导体物理实验》
研究生课程：《电子材料及其制备》
四、代表性工作及论文
[1] Guoguang Wu, Weitao Zheng, Fubin Gao, Hang Yang, Yang Zhao, Jingzhi Yin, Wei Zheng, Wancheng Li*, Baolin Zhang*, Guotong Du, Near infrared electroluminescence of ZnMgO/InN core-shell nanorod heterostructures grown on Si substrate. [J]. Physical Chemistry Chemical Physics, 18:20812 (2016)
[2] Guoguang Wu, Wancheng Li, Chunsheng Shen, Fubin Gao, Hongwei Liang, Hui Wang, Lijun Song, Guotong Du*, Near Infrared Electroluminescence from n-InN/p-GaN Light-Emitting Diodes. [J]. Applied Physics Letters, 100: 103504. (2012)
[3] Guoguang Wu, Guotong Du, Fubin Gao, Hui Wang, Chunsheng Shen, Wancheng Li*, Near-infrared electroluminescence emission from an n-InN nanodots/p-Si heterojunction structure. [J]. Journal of Physics D: Applied Physics, 45: 215102 (2012)
[4] Guoguang Wu, Yuantao Zhang, Wancheng Li, Fubin Gao, Xupu Cai, Qiang Jing, Hongwei Liang, Baolin Zhang, Xinqiang Wang, Guotong Du*, Near Infrared Electroluminescence from n-InN/p-GaN and n-InN nanodots/p-Si ight-Emitting Diodes. International Workshop on Nitride Semiconductors 2012, OD2-1, Sapporo, Japan, 2012.10.14-19, invited
[5] Yang Zhao; Hui Wang; Guoguang Wu*; Qiang Jing; Hang Yang; Fubin Gao; Wancheng Li; Baolin Zhang; Guotong Du, Near infrared light-emitting diodes based on n-InN/p-NiO/p-Si heterojunction. [J]. Journal of Luminescence, 173:1 (2016)
[6] Qiang Jing, Hang Yang, Wancheng Li*, Guoguang Wu*, Yuantao Zhang, Fubin Gao, Yang Zhao, Guotong Du, Catalyst free growth of high density uniform InN nanocolumns on p-GaAs(001) surface by PA-MBE and their in situ XPS analysis. [J]. Applied Surface Science, 331:248 (2015)
[7] Hui Wang, Yang Zhao, Chao Wu, Xin Dong, Baolin Zhang, Guoguang Wu*, Yan Ma*, Guotong Du, Ultraviolet electroluminescence from n-ZnO/NiO/p-GaN light-emitting diode fabricated by MOCVD. [J]. Journal of Luminescence, 158:6 (2015)
[8] Qiang Jing, Guoguang Wu, Yuantao Zhang, Fubin Gao, Xupu Cai, Yang Zhao, Wancheng Li*, Guotong Du, Band alignment of InN/6H-SiC heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy. [J]. Applied Physics Letters, 105:063510 (2014)
[9] Guotong Du, Wang Zhao, Guoguang Wu, Zhifeng Shi, Xiaochuan Xia, Yang Liu, Hongwei Liang, Xin Dong, Yan Ma, and Baolin Zhang*, Electrically pumped lasing from p-ZnO/n-GaN heterojunction diodes. [J]. Applied Physics Letters, 101: 053503 (2012)
[10] Wancheng Li, Chunsheng Shen, Guoguang Wu, Yan Ma, Zhongmin Gao, Xiaochuan Xia, Guotong Du*, New Model for a Pd-Doped SnO2-Based CO Gas Sensor and Catalyst Studied by Online in-Situ X-ray Photoelectron Spectroscopy. [J]. J. Phys. Chem. C 115:21258 (2011)
五、报考要求
欢迎有志于从事半导体行业工作的电子、物理、材料等专业的同学报考。
六、毕业生去向
指导硕博士毕业生就业于山东理工大学、河南科技大学、厦门三安光电及中芯国际等单位。
七、联系方式
办公室：公司中心校区唐敖庆楼D433
电话：0431-85168241-8433
E-mail：wugg@jlu.edu.cn
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