一、简历
张源涛，公司教授、博士生导师，教育部新世纪人才，中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会委员。曾长期在德国和日本从事宽禁带半导体科学研究工作。2006年2月至2007年2月，德国德累斯顿工业大学应用物理研究所洪堡学者（Humboldt fellow）。2008年8月至2010年3月日本东北大学金属材料研究所JST-CREST研究员。2010年4月至2012年5月日本东北大学金属材料研究所日本学术振兴会外国人特别研究员(JSPS fellow)。
受教育经历：
2000/09 – 2005/06，公司，ylzz总站线路检测，硕博连读/博士
1996/09 – 2000/06，公司，电子工程系，本科/学士
工作经历：
2014/09 至今， 公司，ylzz总站线路检测，教授/博导
2008/09 – 2014/09，公司，ylzz总站线路检测，副教授
2005/09 – 2008/09，公司，ylzz总站线路检测，讲师
2010/04 – 2012/04，日本东北大学，金属材料研究所，日本学术振兴会外国人特别研究员
2008/08 – 2010/03，日本东北大学，金属材料研究所，日本科学技术振兴机构CREST研究员
2006/02 – 2007/02，德国德累斯顿工业大学，应用物理研究所，洪堡学者
二、主要研究方向
1、氮化物半导体材料的外延生长、物理特性及相关器件研究。该方面工作主要是利用从德国AIXTRON公司购入的一台价值超百万美元的氮化物生长用CCS 3×2″MOCVD设备，开展氮化物半导体材料（GaN、AlN、BN、InN、InGaN、AlGaN、BGaN、BAlN及上述材料组成的量子阱结构）的外延生长、材料物理特性及相关光电子器件（LED、激光器等）和电子器件（高电子迁移率晶体管等）研究。
2、氧化物材料的外延生长、物理特性及应用研究。该方面研究工作主要是利用自主设计的氧化物MOCVD系统在不同衬底材料上生长氧化物半导体薄膜（Ga2O3、ZnO、MgZnO、InGaZnO等），并研制氧化物异质结光电子器件和功率电子器件。
3、新型光电子器件研究。该方面工作主要是开展石墨烯和无机钙钛矿等新颖材料与宽带半导体材料结合研究，构筑新型光电子器件。
三、承担科研项目及获奖：
1. 承担主要科研项目
（1）国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，2016YFB0400103、大失配、弱分凝InGaN外延生长和高发光效率绿光量子阱研究。
（2）国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项，2016YFB0401801、面向激光显示的蓝色半导体激光器（LD）关键材料与技术研究。
（3）国家自然科学基金重点项目，61374001、二维晶体过渡层上低位错密度GaN外延生长研究。
（4）国家自然科学基金面上项目，61674068、AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED研究。
（5）国家重点基础研究发展计划（973项目），2011CB302000、II族氧化物半导体光电子器件的基础研究。
（6）国家自然科学基金青年项目，61106003、InN基窄带隙半导体材料的加压MOVPE生长。
（7）国家自然科学基金重点项目，50532080、稳定高效的p型ZnO制备技术研究。
（8）吉林省重大科技攻关项目，20130204032GX、基于SiC衬底的白光LED外延技术。
（9）吉林省第三代半导体材料与器件创新团队，20150519004JH。
2. 获得学术性奖励情况:
（1）新世纪优秀人才，教育部，2013年10月。
（2）日本学术振兴会研究奖学金（JSPS Fellowship），日本学术振兴会，2010年4月。
（3）洪堡奖学金（Humboldt Fellowship），德国洪堡基金会，2006年2月。
（4）吉林省科学技术进步二等奖，吉林省科技厅，2004年。
四、研究成果发表和引用评价情况：
在Nanoletter、Nanoscale、Scientific Reports、Crystal Growth & Design, Applied Physics Letters, CrystEngComm、Journal of Applied Physics, Journal of Crystal Growth，半导体学报等国内外刊物及会议发表论文200余篇，其中SCI论文100余篇。研究成果在国内外引出了一系列的后续研究，多次被如Nature Photonics, Reports on Progress in Physics, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, Applied Physics Letters等本领域国际权威刊物及本领域许多国内外著名专家学者等正面评价和引用。目前，论文已被SCI引用千余次。
代表论著列表：
1、Long Yan, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xu Han, Gaoqiang Deng, et. al., “Polarization-induced hole doping in N-polar III-nitride LED grown by metalorganic chemical vapor depositon, Applied Physics Letters, 112, 182104 (2018).
2、Gaoqiang Deng, Yuantao Zhang*(通讯作者), Ye Yu, Long Yan, et. al., “Significantly improved surface morphology of N-polar GaN film grown on SiC substrate by the optimization of V/III ratio”, Applied Physics Letters, 112, 151607 (2018).
3、Zhifeng Shi, Ying Li, Yuantao Zhang*(通讯作者), Yongshen Chen, et. al., “High-efficiency and air-stable perovskite quantum dots light-emitting diodes with an all-inorganic heterstructure”, Nanoletters, 17 (1), 313 (2017).
4、Gaoqiang Deng, Yuantao Zhang*(通讯作者), Zhen Huang, Long Yan, et. al., “The growth optimization and mechanism of N-polar GaN films with an in situ porous SiNx interlayer” CrystEngComm, 19, 4330 (2017).
5、Junyan Jiang, Yuantao Zhang*(通讯作者), Chen Chi, Zhifeng Shi, et. al., “Improved ultraviolet emission performance from polarization-engineered n-ZnO/p-GaN heterojunction diode”, Applied Physics Letters, 108, 063505 (2016).
6、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang(共同第一作者), Xijun Cui, et. al., “High-temperature continuous-wave laser realized in hollow microcavities”, Scientific Reports, 4, 7180 (2014).
7、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xiachuan Xia, Guotong Du, et. al., “Electrically driven ultraviolet random lasing from an n-MgZnO/i-ZnO/SiO2/p-Si asymmetric double heterojunction”, Nanoscale, 5, 5080 (2013).
8、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Bin Wu, Guotong Du, et. al., “Vertical conducting ultraviolet light-emitting diodes based on p-ZnO:As/n-GaN/n-SiC heterojunction”, Applied Physics Letters, 102, 161101 (2013).
9、Zhifeng Shi, Yuntao Zhang*(通讯作者), Jinxiang Zhang, Guotong Du, et. al., “High-performance ultraviolet-blue light-emitting diodes based on an n-ZnO nanowall networks/p-GaN heterojunction”, Applied Physical Letters, 103, 021109 (2013).
10、Zhifeng Shi, Bin Wu, Xupu Cai, Yuantao Zhang*(通讯作者) et. al., “Photofacilitated controllable growth of ZnO films using photoassisted metalorganic chemical vapor deposition”, Crystal Growth & Design, 12, 4417 (2012).
11、Zhifeng Shi, Yuantao Zhang*(通讯作者), Xupu Cai, Guotong Du, et. al., “Parametric study on controllable growth of ZnO nanostructures with tunable dimensions using catalyst-free metal organic chemical vapor deposition”, CrystEngComm, 16, 455, (2014).
12、Yuantao Zhang*, Takeshi Kimura, et. al., "Optical properties of InN films grown by pressurized-reactor metalorganic vapor phase epitaxy", Thin Solid Films 536, 152 (2013).
13、Yuantao Zhang*, Yuhuai Liu, Takeshi Kimura, Masaki Hirata, Kiattiwut Prasertusk, Ryuji Katayama, and Takashi Matsuoka, "Effect of Growth Temperature on Structure Properties of InN Grown by Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy ", phys. stat. sol. (c), 8, 482 (2011).
14、Yuantao Zhang*, Guotong Du, Xinqiang Wang, Wancheng Li et al., “X-ray photoelectron spectroscopy study of ZnO films grown by metal-organic chemical vapor deposition”, Journal of Crystal Growth, 252, 180-183 (2003).
15、Yuantao Zhang, Guotong Du, Dali Liu, Xinqiang Wang et al., “Crystal growth of undoped ZnO films on Si substrates under different sputtering conditions”, Journal of Crystal Growth, 243, 439-443 (2002).
五、讲授课程
本科生课程：半导体材料（48学时）
研究生课程：半导体器件物理II（72学时）
六、报考要求
专业为微电子、电子科学与技术、电子信息科学与技术、电子信息工程与技术、物理、材料和化学专业的员工；有理想、有挑战精神和克服困难的勇气、做事认真、勤奋刻苦、为人诚实、善于合作；本科成绩优良，具有较好的英文读写能力。
竭诚欢迎对半导体材料及器件有兴趣的年轻才俊们加入我们课题组！
七、毕业生去向
华为、Intel、一汽、中芯、海信、京东方等企业、大连理工大学、郑州大学、中科经理春光机所、工信部五所（广州）等科研单位。
八、联络方式
办公室：公司中心校区唐敖庆楼D261
电话：0431-85168241-8261
邮箱：zhangyt@jlu.edu.cn
